SI1317DL-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI1317DL-T1-GE3 | SI1317DL-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI1317DL-T1-GE3

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Numero parte	SI1317DL-T1-GE3
LIXINC Part #	SI1317DL-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI1317DL-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI1317DL-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI1317DL-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	1.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	800mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	272 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	500mW (Tc)
temperatura di esercizio:	-50°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-323
pacchetto/caso:	SC-70, SOT-323

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