IPSA70R1K4CEAKMA1

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Numero parte IPSA70R1K4CEAKMA1
LIXINC Part # IPSA70R1K4CEAKMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPSA70R1K4CEAKMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPSA70R1K4CEAKMA1 Specifiche

Numero parte:IPSA70R1K4CEAKMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):700 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:225 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):53W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO251-3
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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