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Numero parte | IPP50R140CPXKSA1 |
LIXINC Part # | IPP50R140CPXKSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPP50R140CPXKSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPP50R140CPXKSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | CoolMOS™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 550 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 23A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 140mOhm @ 14A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.5V @ 930µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2540 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-3 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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In magazzino | 11720 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.72000 | $4.72 |
10 | $4.24351 | $42.4351 |
100 | $3.52906 | $352.906 |
500 | $2.90984 | $1454.92 |
1000 | $2.49704 | $2497.04 |
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