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Numero parte | PSMN4R3-30BL,118 |
LIXINC Part # | PSMN4R3-30BL,118 |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PSMN4R3-30BL,118 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PSMN4R3-30BL,118 |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.1mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.15V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 41.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2400 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 103W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D2PAK |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
AOI444 | MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A | 866 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 13832 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.02000 | $1.02 |
800 | $0.59218 | $473.744 |
1600 | $0.53509 | $856.144 |
2400 | $0.49942 | $1198.608 |
5600 | $0.47445 | $2656.92 |
20000 | $0.45661 | $9132.2 |
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