TPN4R203NC,L1Q

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Numero parte TPN4R203NC,L1Q
LIXINC Part # TPN4R203NC,L1Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPN4R203NC,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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TPN4R203NC,L1Q Specifiche

Numero parte:TPN4R203NC,L1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:23A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.3V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 22W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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