SPS04N60C3BKMA1

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Numero parte SPS04N60C3BKMA1
LIXINC Part # SPS04N60C3BKMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPS04N60C3BKMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPS04N60C3BKMA1 Specifiche

Numero parte:SPS04N60C3BKMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.9V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:490 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO251-3
pacchetto/caso:TO-251-3 Stub Leads, IPak

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