SSU1N50BTU

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Numero parte SSU1N50BTU
LIXINC Part # SSU1N50BTU
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione 1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSU1N50BTU Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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SSU1N50BTU Specifiche

Numero parte:SSU1N50BTU
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):520 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:5.3Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:340 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 26W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I-PAK
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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