Solo per riferimento
Numero parte | FDMS86520 |
LIXINC Part # | FDMS86520 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FDMS86520 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FDMS86520 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | PowerTrench® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 14A (Ta), 42A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 8V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7.4mOhm @ 14A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2850 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-PQFN (5x6) |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
DMP1011UCB9-7 | MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 | 384111882 Maggiori informazioni su Ordine |
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GKI06259 | MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN | 933 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 2147484485 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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15000 | $0.67410 | $10111.5 |
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