Solo per riferimento
Numero parte | 2N6660 |
LIXINC Part # | 2N6660 |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 2N6660 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 2N6660 |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 410mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3Ohm @ 1A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 50 pF @ 24 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-39 |
pacchetto/caso: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
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In magazzino | 11124 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $12.39000 | $12.39 |
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100 | $11.05490 | $1105.49 |
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