NVTFS4C05NWFTAG

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Numero parte NVTFS4C05NWFTAG
LIXINC Part # NVTFS4C05NWFTAG
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVTFS4C05NWFTAG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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NVTFS4C05NWFTAG Specifiche

Numero parte:NVTFS4C05NWFTAG
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 102A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.988 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 68W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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