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NTY100N10G

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Numero parte	NTY100N10G
LIXINC Part #	NTY100N10G
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 123A TO264
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTY100N10G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTY100N10G Specifiche

Numero parte:	NTY100N10G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	123A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	350 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	10.11 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	313W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-264
pacchetto/caso:	TO-264-3, TO-264AA

IRFU210PBF	MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA	8754 Maggiori informazioni su Ordine
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FDMS86252L	MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN	2603 Maggiori informazioni su Ordine
IRLL110TRPBF-BE3	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	3028 Maggiori informazioni su Ordine