FDA59N30

FDA59N30
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Numero parte FDA59N30
LIXINC Part # FDA59N30
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDA59N30 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDA59N30 Specifiche

Numero parte:FDA59N30
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:UniFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):300 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:59A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:56mOhm @ 29.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4670 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3PN
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3

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