TK39N60X,S1F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F

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Numero parte	TK39N60X,S1F
LIXINC Part #	TK39N60X,S1F
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TK39N60X,S1F Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TK39N60X,S1F Specifiche

Numero parte:	TK39N60X,S1F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV-H
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 1.9mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
caratteristica del feto:	Super Junction
dissipazione di potenza (max):	270W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247
pacchetto/caso:	TO-247-3

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