IPB60R600C6ATMA1

IPB60R600C6ATMA1
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Numero parte IPB60R600C6ATMA1
LIXINC Part # IPB60R600C6ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB60R600C6ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPB60R600C6ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPB60R600C6ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:440 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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