5LN01C-TB-E | Rochester Electronics 5LN01C-TB-E | 5LN01C-TB-E Inventory, Best Pricing

5LN01C-TB-E

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Numero parte	5LN01C-TB-E
LIXINC Part #	5LN01C-TB-E
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET, 5
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	5LN01C-TB-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

5LN01C-TB-E Specifiche

Numero parte:	5LN01C-TB-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	50 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.5V, 4V
rds su (max) @ id, vgs:	7.8Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	1.57 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6.6 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	250mW (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	3-CP
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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