FDMS3662

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Numero parte FDMS3662
LIXINC Part # FDMS3662
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMS3662 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS3662 Specifiche

Numero parte:FDMS3662
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.9A (Ta), 49A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:14.8mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4620 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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