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Numero parte | NVMFS5826NLT1G |
LIXINC Part # | NVMFS5826NLT1G |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NVMFS5826NLT1G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NVMFS5826NLT1G |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | * |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | - |
tecnologia: | - |
tensione drain-source (vdss): | - |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | - |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | - |
rds su (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | - |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | - |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | - |
pacchetto/caso: | - |
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In magazzino | 14694 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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