STW65N65DM2AG

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Numero parte STW65N65DM2AG
LIXINC Part # STW65N65DM2AG
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STW65N65DM2AG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STW65N65DM2AG Specifiche

Numero parte:STW65N65DM2AG
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5500 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):446W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247
pacchetto/caso:TO-247-3

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