FDMC012N03 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMC012N03

FDMC012N03

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Numero parte	FDMC012N03
LIXINC Part #	FDMC012N03
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDMC012N03 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDMC012N03 Specifiche

Numero parte:	FDMC012N03
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	35A (Ta), 185A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.23mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	8183 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.3W (Ta), 64W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Power33
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

FQB3N40TM	MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK	2394 Maggiori informazioni su Ordine
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