APT56F60B2

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Numero parte APT56F60B2
LIXINC Part # APT56F60B2
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APT56F60B2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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APT56F60B2 Specifiche

Numero parte:APT56F60B2
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:POWER MOS 8™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:110mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:280 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:11300 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1040W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:T-MAX™ [B2]
pacchetto/caso:TO-247-3 Variant

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