APT31M100B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT31M100B2

APT31M100B2

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Numero parte	APT31M100B2
LIXINC Part #	APT31M100B2
Produttore	Roving Networks / Microchip Technology
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	APT31M100B2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

APT31M100B2 Specifiche

Numero parte:	APT31M100B2
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	POWER MOS 8™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	1000 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	32A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	380mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 2.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	260 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	8500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1040W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	T-MAX™ [B2]
pacchetto/caso:	TO-247-3 Variant

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