SI8409DB-T1-E1

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Numero parte SI8409DB-T1-E1
LIXINC Part # SI8409DB-T1-E1
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI8409DB-T1-E1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI8409DB-T1-E1 Specifiche

Numero parte:SI8409DB-T1-E1
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:46mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.47W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-Microfoot
pacchetto/caso:4-XFBGA, CSPBGA

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