SI8466EDB-T2-E1

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Numero parte SI8466EDB-T2-E1
LIXINC Part # SI8466EDB-T2-E1
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI8466EDB-T2-E1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI8466EDB-T2-E1 Specifiche

Numero parte:SI8466EDB-T2-E1
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):8 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.6A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.2V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:43mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:700mV @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:710 pF @ 4 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-Microfoot
pacchetto/caso:4-UFBGA, WLCSP

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