TK5Q65W,S1Q

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Numero parte TK5Q65W,S1Q
LIXINC Part # TK5Q65W,S1Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK5Q65W,S1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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TK5Q65W,S1Q Specifiche

Numero parte:TK5Q65W,S1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSIV
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.22Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 170µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:380 pF @ 300 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I-PAK
pacchetto/caso:TO-251-3 Stub Leads, IPak

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