IXTH3N120

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Numero parte IXTH3N120
LIXINC Part # IXTH3N120
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTH3N120 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
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IXTH3N120 Specifiche

Numero parte:IXTH3N120
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):1200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:4.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247 (IXTH)
pacchetto/caso:TO-247-3

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