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Numero parte | IPB60R160P6ATMA1 |
LIXINC Part # | IPB60R160P6ATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPB60R160P6ATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPB60R160P6ATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | CoolMOS™ P6 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 23.8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 160mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 750µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 44 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2080 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 176W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IRF9630PBF-BE3 | MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB | 2719 Maggiori informazioni su Ordine |
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STF26N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP | 975 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10813 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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