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IRF8306MTRPBF

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Numero parte	IRF8306MTRPBF
LIXINC Part #	IRF8306MTRPBF
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF8306MTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF8306MTRPBF Specifiche

Numero parte:	IRF8306MTRPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	23A (Ta), 140A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.35V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4.11 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	Schottky Diode (Body)
dissipazione di potenza (max):	2.1W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DIRECTFET™ MX
pacchetto/caso:	DirectFET™ Isometric MX

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