BSZ017NE2LS5IATMA1 | Rochester Electronics BSZ017NE2LS5IATMA1 | BSZ017NE2LS5IATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ017NE2LS5IATMA1

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Numero parte	BSZ017NE2LS5IATMA1
LIXINC Part #	BSZ017NE2LS5IATMA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSZ017NE2LS5IATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSZ017NE2LS5IATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSZ017NE2LS5IATMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	27A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2 nF @ 12 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.1W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TSDSON-8-FL
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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DMTH4008LFDFW-7	MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN	6835 Maggiori informazioni su Ordine