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Numero parte | ZXMN3B04N8TA |
LIXINC Part # | ZXMN3B04N8TA |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | ZXMN3B04N8TA Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | ZXMN3B04N8TA |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 7.2A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 700mV @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 23.1 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±12V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2480 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SO |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2838 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10862 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.20000 | $1.2 |
500 | $0.78856 | $394.28 |
1000 | $0.63704 | $637.04 |
2500 | $0.59917 | $1497.925 |
5000 | $0.57265 | $2863.25 |
12500 | $0.55371 | $6921.375 |
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