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Numero parte | MVSF2N02ELT1G |
LIXINC Part # | MVSF2N02ELT1G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MVSF2N02ELT1G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MVSF2N02ELT1G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.8A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 85mOhm @ 3.6A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 3.5 nC @ 4 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 150 pF @ 5 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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In magazzino | 71793826 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.84000 | $0.84 |
3000 | $0.35489 | $1064.67 |
6000 | $0.33173 | $1990.38 |
15000 | $0.32014 | $4802.1 |
30000 | $0.31383 | $9414.9 |
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