IRFR18N15DTRPBF

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Numero parte IRFR18N15DTRPBF
LIXINC Part # IRFR18N15DTRPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFR18N15DTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFR18N15DTRPBF Specifiche

Numero parte:IRFR18N15DTRPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-Pak
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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