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IRFB4127PBF

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Numero parte	IRFB4127PBF
LIXINC Part #	IRFB4127PBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFB4127PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFB4127PBF Specifiche

Numero parte:	IRFB4127PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	76A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5380 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	375W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

AOD423	MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252	910 Maggiori informazioni su Ordine
NVD5C478NT4G	MOSFET N-CH 40V 14A/43A DPAK	8387 Maggiori informazioni su Ordine
STD19N3LLH6AG	MOSFET N-CH 30V 10A DPAK	5469 Maggiori informazioni su Ordine
2SK4202-S19-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	10868 Maggiori informazioni su Ordine
STD7NM60N	MOSFET N-CH 600V 5A DPAK	6613 Maggiori informazioni su Ordine
SQ4410EY-T1_BE3	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC	3394 Maggiori informazioni su Ordine
NTD4810N-1G	MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK	10474 Maggiori informazioni su Ordine
SIHP38N60EF-GE3	MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB	910 Maggiori informazioni su Ordine
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