FQB7P20TM-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB7P20TM-F085

FQB7P20TM-F085

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Numero parte	FQB7P20TM-F085
LIXINC Part #	FQB7P20TM-F085
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FQB7P20TM-F085 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 15 - Sep 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FQB7P20TM-F085 Specifiche

Numero parte:	FQB7P20TM-F085
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101, QFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	690mOhm @ 3.65A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	770 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.13W (Ta), 90W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3434 Maggiori informazioni su Ordine
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1694 Maggiori informazioni su Ordine
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