TK14G65W,RQ

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Numero parte TK14G65W,RQ
LIXINC Part # TK14G65W,RQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK14G65W,RQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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TK14G65W,RQ Specifiche

Numero parte:TK14G65W,RQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSIV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 690µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 300 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):130W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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