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Numero parte | STW20NM60 |
LIXINC Part # | STW20NM60 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STW20NM60 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STW20NM60 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | MDmesh™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 290mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 54 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1500 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 192W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247-3 |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
NTTFS5C454NLTWG | MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN | 15990 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11506 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.12000 | $6.12 |
30 | $4.98568 | $149.5704 |
120 | $4.57397 | $548.8764 |
510 | $3.77143 | $1923.4293 |
1020 | $3.23638 | $3301.1076 |
2520 | $3.09234 | $7792.6968 |
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