FDC645N

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Numero parte FDC645N
LIXINC Part # FDC645N
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDC645N Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDC645N Specifiche

Numero parte:FDC645N
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:26mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1460 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SuperSOT™-6
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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