VP0109N3-G

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Numero parte VP0109N3-G
LIXINC Part # VP0109N3-G
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VP0109N3-G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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VP0109N3-G Specifiche

Numero parte:VP0109N3-G
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):90 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:250mA (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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