IXFT12N90Q

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Numero parte IXFT12N90Q
LIXINC Part # IXFT12N90Q
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 900V 12A TO268
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXFT12N90Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXFT12N90Q Specifiche

Numero parte:IXFT12N90Q
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:900mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5.5V @ 4mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-268
pacchetto/caso:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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