FDI150N10 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDI150N10

FDI150N10

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Numero parte	FDI150N10
LIXINC Part #	FDI150N10
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDI150N10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDI150N10 Specifiche

Numero parte:	FDI150N10
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	57A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	69 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4760 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	110W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SQ4470EY-T1_BE3	MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC	3465 Maggiori informazioni su Ordine
IXTT170N10P	MOSFET N-CH 100V 170A TO268	34404 Maggiori informazioni su Ordine
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FDB86363-F085	MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK	874 Maggiori informazioni su Ordine
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