FDD10N20LZTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

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Numero parte	FDD10N20LZTM
LIXINC Part #	FDD10N20LZTM
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDD10N20LZTM Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDD10N20LZTM Specifiche

Numero parte:	FDD10N20LZTM
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UniFET™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	7.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	585 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	83W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DPAK
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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