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Numero parte | IXFN50N120SIC |
LIXINC Part # | IXFN50N120SIC |
Produttore | Wickmann / Littelfuse |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IXFN50N120SIC Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IXFN50N120SIC |
Marca: | Wickmann / Littelfuse |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Wickmann / Littelfuse |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 47A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 20V |
rds su (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.2V @ 2mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 100 nC @ 20 V |
vgs (massimo): | +20V, -5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1900 pF @ 1000 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-227B |
pacchetto/caso: | SOT-227-4, miniBLOC |
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In magazzino | 10972 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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