FDA20N50-F109 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDA20N50-F109

FDA20N50-F109

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Numero parte	FDA20N50-F109
LIXINC Part #	FDA20N50-F109
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDA20N50-F109 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDA20N50-F109 Specifiche

Numero parte:	FDA20N50-F109
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UniFET™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	22A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	230mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	59.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3120 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	280W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-3PN
pacchetto/caso:	TO-3P-3, SC-65-3

IPB90N06S404ATMA2	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK	10534 Maggiori informazioni su Ordine
SI3456DDV-T1-E3	MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP	3956 Maggiori informazioni su Ordine
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