SI8806DB-T2-E1

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Numero parte SI8806DB-T2-E1
LIXINC Part # SI8806DB-T2-E1
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI8806DB-T2-E1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI8806DB-T2-E1 Specifiche

Numero parte:SI8806DB-T2-E1
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):12 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:43mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-Microfoot
pacchetto/caso:4-XFBGA

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