FCH023N65S3-F155

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Numero parte FCH023N65S3-F155
LIXINC Part # FCH023N65S3-F155
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCH023N65S3-F155 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FCH023N65S3-F155 Specifiche

Numero parte:FCH023N65S3-F155
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:SuperFET® III
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:23mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 7.5mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:222 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7160 pF @ 400 V
caratteristica del feto:Super Junction
dissipazione di potenza (max):595W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247 Long Leads
pacchetto/caso:TO-247-3

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