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Numero parte | NTTFS4H05NTAG |
LIXINC Part # | NTTFS4H05NTAG |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTTFS4H05NTAG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTTFS4H05NTAG |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 25 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 22.4A (Ta), 94A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 3.3mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 18.9 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.205 pF @ 12 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.66W (Ta), 46.3W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
pacchetto/caso: | 8-PowerWDFN |
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In magazzino | 12353 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.59000 | $0.59 |
1500 | $0.59000 | $885 |
3000 | $0.55271 | $1658.13 |
7500 | $0.52659 | $3949.425 |
10500 | $0.50795 | $5333.475 |
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