FDMS5672

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Numero parte FDMS5672
LIXINC Part # FDMS5672
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMS5672 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FDMS5672 Specifiche

Numero parte:FDMS5672
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:UltraFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:10.6A (Ta), 22A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-MLP (5x6), Power56
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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