TK39J60W5,S1VQ

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Numero parte TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part # TK39J60W5,S1VQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK39J60W5,S1VQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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TK39J60W5,S1VQ Specifiche

Numero parte:TK39J60W5,S1VQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:DTMOSIV
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:38.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.7V @ 1.9mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:135 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4100 pF @ 300 V
caratteristica del feto:Super Junction
dissipazione di potenza (max):270W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3P(N)
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3

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