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Numero parte | TK39J60W5,S1VQ |
LIXINC Part # | TK39J60W5,S1VQ |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK39J60W5,S1VQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK39J60W5,S1VQ |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | DTMOSIV |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 38.8A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.7V @ 1.9mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 135 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 4100 pF @ 300 V |
caratteristica del feto: | Super Junction |
dissipazione di potenza (max): | 270W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-3P(N) |
pacchetto/caso: | TO-3P-3, SC-65-3 |
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In magazzino | 10982 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $11.57000 | $11.57 |
25 | $9.48761 | $237.19025 |
100 | $8.56180 | $856.18 |
500 | $7.17340 | $3586.7 |
1000 | $6.47920 | $6479.2 |
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