TK25A60X,S5X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK25A60X,S5X

TK25A60X,S5X

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Numero parte	TK25A60X,S5X
LIXINC Part #	TK25A60X,S5X
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TK25A60X,S5X Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TK25A60X,S5X Specifiche

Numero parte:	TK25A60X,S5X
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV-H
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	25A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 1.2mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 300 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	45W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220SIS
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

IXTY1R6N50D2	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252	852 Maggiori informazioni su Ordine
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IPA80R1K4P7XKSA1	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F	986 Maggiori informazioni su Ordine
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NTR4101PT1H	MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3	4632 Maggiori informazioni su Ordine
STD4N52K3	MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK	940 Maggiori informazioni su Ordine