SPB12N50C3ATMA1

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Numero parte SPB12N50C3ATMA1
LIXINC Part # SPB12N50C3ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SPB12N50C3ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SPB12N50C3ATMA1 Specifiche

Numero parte:SPB12N50C3ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:CoolMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):560 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.9V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:49 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.2 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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