SQS460ENW-T1_GE3

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Numero parte SQS460ENW-T1_GE3
LIXINC Part # SQS460ENW-T1_GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SQS460ENW-T1_GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SQS460ENW-T1_GE3 Specifiche

Numero parte:SQS460ENW-T1_GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:755 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® 1212-8W
pacchetto/caso:PowerPAK® 1212-8W

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